据外媒报导，来自意大利ISOF-CNR、那不勒斯费德瑞科二世大学以及摩德纳大学的研究人员日前顺利研发出有了基于CVD石墨烯片的新型有机n型FET晶体管（OFET）。研究人员回应，他们所用于的新工艺和材料可以构建柔性、半透明和短地下通道的OFET，而这种OFET可以在未来用作OLED或OLET（有机闪烁晶体管）显示器。

为了生产这一新的晶体管，研究人员用于PDIF-CN2（一种二烯丙基二亚胺衍生物）热冷却薄膜作为晶体管活性地下通道的有机半导体，同时使用单层CVD石墨烯作为电极材料，最后通过电子束转印（EBL）和反应离子转印（RIE）生产出有这一器件架构。研究人员说明道，这些新型OFET充分利用了石墨烯出色的机械、光学和电学性能。目前，石墨烯在薄层电阻和透明度方面与更加常用的半透明电极材料（如ITO和其他碳基替代品）之间的差距更加小。

该研究小组的下一个目标是构建高频器件，并构建石墨烯OFET在兆赫兹频率下的长时间运作。

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