比起三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND存储器技术上要领先多年，不过中国的科研人员也仍然在追上近期一代技术，前不久有报导称之为中国投资130亿元开工PCM热力学内存，性能是普通存储芯片的1000倍，现在更加得意的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏率领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们用于了半导体结构，研发的存储芯片性能杰出，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，创下时间是内存的156倍，也就是说不具备更加强劲的耐用性。DIY玩家应当告诉内存、存储器各自的优缺点——内存速度很慢，但是断电就不会损失数据，而且成本便宜，存储器的延后比内存低一个量级，但益处就是能留存数据，同时成本更加较低，所以业界仍然在找寻能同时不具备内存、存储器优点的存储芯片，也就是能留存数据的同时不具备很慢的速度。英特尔研发的3DXPoint存储器就有类似于的特性，堪称性能是存储器的1000倍，耐用性是存储器的1000倍，前面新闻提及的PCM热力学存储也是类似于的技术，需要在断电时留存数据同时性能类似于内存，只不过这些新型存储芯片现在还没超过内存、存储器这样成熟期的地步。

中国学者研发的存储芯片也是这个方向的，根据他们公开发表在《大自然·纳米技术》杂志上的论文来看，他们研发的存储芯片用于的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸渐渐增大的情况下不会遇上量子效应阻碍，所以张卫、周鹏团队用于的是半浮栅极（semi－floatinggate）晶体管技术，他们据此展出一种具备范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片不具备出色的性能及耐用性。具体来说，与DRAM内存比起，它的数据创下时间是前者的156倍，也就是能留存更加长时间的数据，同时不具备纳秒（ns）级的载入速度（NAND存储器的延后一般在毫秒级），与传统二维材料比起其速度快了100万倍。

，所以这种新型内存未来将会增大传统内存与存储器之间的差距。当然，这个技术进展还是很不俗的，只是别确信技术迅速量产，更加不有可能在未来两三年内转入市场，但凡同时不具备DRAM、NAND优点的新型存储芯片都有这个问题，并没成熟期到量产上市的地步，传统内存、存储器还有很长的寿命。

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